英文说明书翻译成中文,能帮我把这篇英文说明书翻译一下吗
来源:整理 编辑:律生活 2023-03-01 15:07:21
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2,英文资料翻译成中文
是玻璃材料的压力铸造? 能不能给个资料标题,不然很多专业名词不知道怎么翻。【这是英文翻译至中文的提问,将造型机充满氮气来冷却玻璃、进程及力度;必须使用能达到玻璃表面精确要求的材料,而且与玻璃不产生化学作用。这道工序只适合批量生产玻璃成型后,造型机在操作过程中精确地控制温度:为了达到质量要求,在加工和测量过程中的操作和移动都须要谨慎小心。该机必须能够抗高温与高压;操作时把玻璃不断融化并在单面金属模具中成型,对块状或片状的玻璃原料进行去除物质工序?。操作是在一个专用的造型机内进行。凝块的热成型:如果要达到质量与成本的最佳效果?这种提问还需要延伸什么呀,每一道工序都要测量玻璃。如果是少量生产。工艺环节,把内容翻译出来不就是直接对提问进行回复吗,这是要对熔融的玻璃凝块进行按压或热成型,只能采用机械方式;同时。通常,精确的操作至关重要,将之取出。当玻璃温度降至可操作时
3,急英文的说明书翻译成中文
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4,速求一篇英文说明书的汉语翻译
水填充监视器说明(*)
1.移除玻璃纸包装。
2.To激活,拉动了Monitor.The LED背光标签将闪烁3次,蜂鸣器蜂鸣3次。
3.Remove胶粘剂的支持,安装在一个方便的位置过滤监视器。
4,过滤监视器的LED将闪烁,11个月后从墨盒安装日期(330天)的响声。
5.To关掉音响报警,按下“报警关闭”按钮,LED将会持续闪烁,直到电池的寿命结束。
6.TEST模式:要检查在11个月的服务周期,按过滤器监控状态,并保持3秒“报警关闭”按钮。 LED将闪烁两次,蜂鸣器响两声。
7.NOTE:墨盒可能需要填料监视器前的水进入报警模式改变,由于高容量的使用情况和当地水工况下水填料监视器计数时间,而不是从你的水污染物被去除。水性填孔料监测指令(*)1。remove玻璃纸包装。2。to激活,拉襻紧跟着monitor。the领导将闪光3时间,蜂鸣器将响声3时间。3。remove胶粘剂的后和山滤波器监测在一个方便位置。4。the过滤器监测领导将闪光,
5,这句英文翻译成中文是什么意思
对于某个人来说,你就是全世界,你确定我就是你的世界吗?眼见为实, 我想知道你的真心话a person suffering from 患有。。。的人你好,翻译如下:【对于某个人而言,你也许就是她生命的全部,是她的一切,是她的全世界;你确信我是你的全世界吗?眼见为实,我想知道你的心里是如何想的。】自己感言,o(∩_∩)o...这是关于爱情方面的经典语句啊,的确,对于自己爱的人而言,自己就是她的全部,就是她的全世界,她需要你的关心,需要你的珍惜,需要你给她实实在在的快乐和幸福,她需要你带给她的安全感,需要你在乎她,她的世界有了你就足够了,你就是她生活的全部,好好珍惜每一个爱自己的人吧,祝福你,o(∩_∩)o...对某个人来说,你可能是整个世界。你确定么?我是你的世界。眼见为实。我想知道你心里的想法。“对于某些人来说,你就是整个世界”。“这是真的吗?我就是你的全部?”眼见为实!我想知道你的心!“对某个人来说你就是全部”你确信吗? 我是你的全部? 眼见为实! 我想知道你的心。
6,英文翻译成中文
阈下的输出特性1.2μm SOICMOS FD)和电学晶体管电路在不同温度下进行了仿真和分析的基础上,着重建立模型的温度影响泄漏电流。 从图2,我们可以得出结论:随着环境的温度升高,漏电流的n型晶体管相应增加。同时,阈SOInMOS梯度下降的变化,逐渐是很明显的。的泄漏电流的n型晶体管×10 - 12一3.021μmIt增加到5.281×/ 10——9A /μm当温度上升到500 K,但它仍然可以被使用。不断增加的泄漏电流将温度进一步增加。大功率MOSFET不能关掉正常泄漏电流的刺激电流Ileak途径,从而导致失败的电路。的泄漏电流的n型晶体管随温度的升高,由于以下原因:内在的载体迅速上升时浓度镍温度的升高,minority-carrier迁移的影响,降低短通道和DIBC drain-induced-barrier-lowering)强化(。你可以去使用有到桌面词典或者灵格斯翻译家!!!这个挺好用的,对翻译用处很大!!!一条1.2μm FD SOICMOS电路的次于最低限度的输出特性与n类型和p类型晶体管在各种各样的温度被模仿并且被分析基于设置模型,重点在对漏出潮流的温度影响。 从。 2我们认为,当环境温度增加, n类型晶体管的漏出潮流相应地增加。 一致地, SOInMOS的次于最低限度的梯度逐渐减少,并且变动是非常显然的。 n类型晶体管的漏出潮流是3.021 ×10-12 A/μmIt增量对5.281 ×10-9A/μm,当温度上升到500 K时,但可能仍然使用它。 漏出潮流连续地将增加当温度进一步增加。 MOSFET不可能通常关闭,当漏出当前Ileak接近打开的潮流时,导致电路的失败。 n类型晶体管的漏出潮流增加,当温度增加,由于以下原因: 集中ni迅速地增加的本征载流子,当温度增加,少数载体的流动性减少,并且短的渠道和DIBC (排泄导致障碍降下)的作用增强。在亚阈值输出特性的1.2μm消化不良SOICMOS电路的n型和p型晶体管在不同温度下的模拟和分析的基础上设定模型,并把重点放在温度影响的漏电流。从图。 2 ,我们得出这样的结论:在环境温度升高,泄漏目前的N型晶体管相应会提高。同时,阈梯度SOInMOS逐渐减小,变化非常明显。那个泄漏电流的N型晶体管为3.021 × 10月12日的A / μmIt增加至5.281 × 10-9A/μm当温度上升到500钾,但它仍然可以使用。漏电流会不断增加的温度进一步增加。该MOSFET不能正常关闭时,泄漏电流Ileak办法的导通电流,从而导致温度升高,由于下列原因:倪征载流子浓度的提高而迅速增加时,温度升高,流动性的少数载流子下降,短期的影响,渠道和DIBC (漏诱导势垒降低)加紧。请采纳,我是学英语专科的!
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