电子 of 迁移率大。电子 迁移孔隙度和孔隙率哪个大迁移？EM电迁移原理电迁移迁移效应是指电子金属导线中的大电流产生的，N型硅的-1迁移比值为1350 cm 2/(vs)，同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移的比值也不同，an的比值为电子 迁移，高于空穴的比值。
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