NICHIA，nichia日亚led灯有谁在代理吗
来源：整理 编辑：律生活 2024-02-06 00:49:48
1，nichia日亚led灯有谁在代理吗
现在国内的led生产和抽制程都相差不大,只要有一定的生产规模的企业都 可以达到你所做的产品要求,现在唯不能解决的是led专利问题，还是被大公司如科瑞，日亚，丰田合成等占有，到12年以后就是专利的竟争。
2，Nichia与Cree芯片在性能上有何区别区别在哪里
,NICHIA 日亚化学，著名LED芯片制造商，日本公司，成立于1956年，开发出世界第一颗蓝色LED(1993年) ,世界第一颗纯绿LED(1995年),在世界各地建有子公司。 2,CREE 著名LED芯片制造商，美国公司，产品以碳化硅(SiC),氮化镓(GaN),硅(Si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(LED),近紫外激光,射频(RF)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(SiC)晶圆片你好！一个是日本的，一个是美国的如有疑问，请追问。
3，led照明哪个国家发明的
发光二极管(LED)发光现象是英国的MARCONI实验室的HJ Round 在1907年首次发现。俄罗斯人 Oleg Vladimirovich Losev 在1927年成功作出了世上第一个发光二极管(LED)。美国人Rubin Braunstein在1955年发现LED红外发光现象。1961年美国人Robert Biard and Gary Pittman获得红外发光二极管(LED)专利。1962年美国通用电器的Nick Holonyak Jr成功地开发出实用可见光(红色)发光二极管(LED)；1972年Holonyak的学生M. George Craford(美国人)发明首个黄色发光二极管(LED)；1976年T. P. Pearsall发明了高效高亮度的发光二极管(LED)；日本日亚化学工业株式会社(Nichia Corporation)的中村 修二 (Nakamura Sh_ji)在1993发明了世界上首个高亮度的蓝色发光二极管(LED)；中村 修二以此获得2006年的世纪技术奖(芬兰)。在1955年时，美国无线电公司（Radio Corporation of America）的Rubin Braunstein发现了砷化镓（GaAs）与及其他半导体合金的红外线放射作用，而1962年美国通用电气公司（GE）的Nick Holonyak Jr则开发出可见光的LED。不过，LED真正的起飞是在1990年代日本日亚 (Nichia Chemical Industries Ltd.)的中村修二(Shuji Nakamura) 于1994年和1995年，在氮化镓(GaN)研究方面获得重大突破，获得了蓝光LED，继蓝光LED技术突破后，白光LED正式启动了广泛的LED应用的时代。
4，蓝光 是SONY的专利技术吗
蓝光不是SONY的专利，是SONY和几家公司一起研制的。不是，蓝光（Blu－ray）或称蓝光盘（Blu－ray Disc，缩写为BD）利用波长较短（405nm）的蓝色激光读取和写入数据，并因此而得名。而传统DVD需要光头发出红色激光（波长为650nm）来读取或写入数据，通常来说波长越短的激光，能够在单位面积上记录或读取更多的信息。因此，蓝光极大地提高了光盘的存储容量，对于光存储产品来说，蓝光提供了一个跳跃式发展的机会。
目前为止，蓝光是最先进的大容量光碟格式，BD激光技术的巨大进步，使你能够在一张单碟上存储25GB的文档文件。这是现有（单碟）DVDs的5倍。在速度上，蓝光允许1到2倍或者说每秒4.5至9兆的记录速度。
蓝光光碟拥有一个异常坚固的层面，可以保护光碟里面重要的记录层。飞利浦的蓝光光盘采用高级真空连结技术，形成了厚度统一的100μm的安全层。飞利浦蓝光光碟可以经受住频繁的使用、指纹、抓痕和污垢，以此保证蓝光产品的存储质量数据安全。
在技术上，蓝光刻录机系统可以兼容此前出现的各种光盘产品。蓝光产品的巨大容量为高清电影、游戏和大容量数据存储带来了可能和方便。将在很大程度上促进高清娱乐的发展。目前，蓝光技术也得到了世界上170多家大的游戏公司、电影公司、消费电子和家用电脑制造商的支持。八家主要电影公司中的七家：迪斯尼、福克斯、派拉蒙、华纳、索尼、米高梅、 狮子门的支持。
当前流行的DVD技术采用波长为650nm的红色激光和数字光圈为0.6的聚焦镜头，盘片厚度为0.6mm。而蓝光DVD技术采用波长为450nm的蓝紫色激光，通过广角镜头上比率为0.85的数字光圈，成功地将聚焦的光点尺寸缩得极小程度。此外，蓝光DVD的盘片结构中采用了0.1mm厚的光学透明保护层，以减少盘片在转动过程中由于倾斜而造成的读写失常，这使得盘片数据的读取更加容易，并为极大地提高存储密度提供了可能。
蓝光DVD盘片的轨道间距减小至 0.32mm，仅仅是当前红光DVD盘片的一半; 而其记录单元——凹槽（或化学物质相变单元）的最小直径是0.14mm，也远比红光DVD盘片的0.4mm凹槽小得多。蓝光DVD单面单层盘片的存储容量被定义为23.3GB、25GB和27GB，其中最高容量（27GB）是当前红光DVD单面单层盘片容量（4.7GB）的近6倍，这足以存储超过2小时播放时间的高清晰度数字视频内容，或超过13小时播放时间的标准电视节目（VHS制式图像质量，3.8MB/s）。这仅仅是单面单层实现的容量，就像传统的红光DVD盘片一样，蓝光DVD同样还可以做成单面双层、双面双层。例如Matsushita和Hitachi已经展示了容量约为50GB的双层蓝光 DVD盘片，并力争在2002年年底将这一规格补写进蓝光DVD的技术标准当中。
被提议的蓝光DVD格式具有36MB/s的数据传输速率，并且采用MPEG-2作为流媒体的压缩方式，以与全球的数字广播标准保持兼容。然而，蓝光DVD格式本身与现存的红光DVD格式并不兼容，因此一些发起者还在积极倡议蓝光DVD系统应该在某些方面与传统的DVD保持兼容，以更加顺利地得以普及；这一倡议能否实现，有望在2003年见分晓。
蓝光DVD的发起，除了被希望用以结束可擦写DVD标准之争的局面之外，其更强大的市场推动力很可能是高清晰度数字电视（HDTV）业务在全球范围内的陆续启动（例如美国将在2003年先开通HDTV的陆基有线网，中国也确立了几年内HDTV逐渐全面取代传统电视网的计划）。实际上，用蓝色激光波段取代红色激光的存储技术，并非由DVD论坛的主要成员所研发，而是由日本的Nichia和 Toyoda Gosai这两家公司获得专利。据IDG的相关报道，这两家公司为了争夺蓝光存储技术上的专利问题，持续了长达6年之久的争议和诉讼，延缓了该技术的发展和应用。不过，2002年8月中旬，这一争执最终达成和解，两家厂商采取和谈与合作的方式开始向其他厂商提供技术授权，从而扫清了蓝光DVD技术在发展过程中的一大障碍，使早已蓄谋研发蓝光DVD存储系统的各厂商笑颜绽开。
5，LED芯片国内哪家的好
台湾、大陆、国外芯片厂 名单 总汇 台湾led芯片厂商：晶元光电（epistar）简称：es、（联诠、元坤，连勇，国联），广镓光电（huga），新世纪（genesis photonics），华上（arima optoelectronics）简称：aoc，泰谷光电（tekcore），奇力，钜新，光宏，晶发，视创，洲磊，联胜（hpo），汉光（hl），光磊（ed），鼎元（tyntek）简称：tk，曜富洲技tc，灿圆（formosa epitaxy），国通，联鼎，全新光电（vpec）等。 华兴（ledtech electronics）、东贝（unity opto technology）、光鼎（para light electronics）、亿光（everlight electronics）、佰鸿（bright led electronics）、今台（kingbright）、菱生精密（lingsen precision industries）、立基（ligitek electronics）、光宝（lite-on technology）、宏齐(harvatek)等。 大陆led芯片厂商：三安光电简称（s）、上海蓝光（epilight）简称（e）、士兰明芯（sl）、大连路美简称（lm）、迪源光电、华灿光电、南昌欣磊、上海金桥大晨、河北立德、河北汇能、深圳奥伦德、深圳世纪晶源、广州普光、扬州华夏集成、甘肃新天电公司、东莞福地电子材料、清芯光电、晶能光电、中微光电子、乾照光电、晶达光电、深圳方大，山东华光、上海蓝宝等。 国外led芯片厂商：cree，惠普（hp），日亚化学（nichia），丰田合成，大洋日酸，东芝、昭和电工（sdk），lumileds，旭明（smileds），genelite，欧司朗（osram），gelcore，首尔半导体等，普瑞，韩国安萤（epivalley）等。 1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(sic)外延片。 2,osram osram是世界第二大光电半导体制造商，产品有照明，传感器，和影像处理器。公司总部位于德国，研发和制造基地在马来西亚，约有3400名员工，2004年销售额为45.9亿欧元。 osram最出名的产品是led，长度仅几个毫米，有多种颜色，低功耗，寿命长 3,nichia 日亚化学，著名led芯片制造商，日本公司，成立于1956年，开发出世界第一颗蓝色led(1993年),世界第一颗纯绿led(1995年),在世界各地建有子公司。 4,toyodagosei toyodagosei丰田合成，总部位于日本爱知，生产汽车部件和led，led约占收入10%, 丰田合成与东芝所共同开发的白光led，是采用紫外光led与萤光体组合的方式，与一般蓝光led与萤光体组合的方式不同。 5,agilent 作为世界领先的led供应商，其产品为汽车、电子信息板及交通讯号灯、工业设备、蜂窝电话及消费产品等为数众多的产品提供高效、可靠的光源。这些元件的高可靠性通常可保证在设备使用寿命期间不用再更换光源。安捷伦低成本的点阵led显示器、品种繁多的七段码显示器及安捷伦led光条系列产品都有多种封装及颜色供选择。 6,toshiba 东芝半导体是汽车用led的主要供货商，特别是仪表盘背光，车子电台，导航系统，气候控制等单元。使用的技术是ingaalp，波长从560nm（puregreen）到630nm（red）。近期，东芝开发了新技术uv+phosphor（紫外+荧光），led芯片可发出紫外线，激发荧光粉后组合发出各种光，如白光，粉红，青绿等光。 7,lumileds lumiledslighting是全球大功率led和固体照明的领导厂商，其产品广泛用于照明，电视，交通信号和通用照明，luxeonpowerlightsources是其专利产品，结合了传统灯具和led的小尺寸，长寿命的特点。还提供各种led晶片和led封装，有红，绿，蓝，琥珀，白等led。 lumiledslighting总部在美国，工厂位于荷兰，日本，马来西亚，由安捷伦和飞利浦合资组建于1999年，2005年飞利浦完全收购了该公司。 8,ssc 首尔半导体乃韩国最大的led环保照明技术生产商，并且是全球八大生产商之一(资料来源：strategiesunlimited--led市场研究公司)。 首尔半导体的主要业务乃生产全线led组装及定制模组产品，包括采用交流电驱动的半导体光源产品如：acriche、侧光led、顶光led、切片led、插件led及食人鱼(超强光)led等。产品已广泛应用于一般照明、显示屏照明、移动电话背光源、电视、手提电脑、汽车照明、家居用品及交通讯号等范畴之中。
6，氮化镓的材料应用
GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批量生产阶段，从而填补了市场上蓝色LED多年的空白。以发光效率为标志的LED发展历程见图3。蓝色发光器件在高密度光盘的信息存取、全光显示、激光打印机等领域有着巨大的应用市场。随着对Ⅲ族氮化物材料和器件研究与开发工作的不断深入，GaInN超高度蓝光、绿光LED技术已经实现商品化，现在世界各大公司和研究机构都纷纷投入巨资加入到开发蓝光LED的竞争行列。1993年，Nichia公司首先研制成发光亮度超过lcd的高亮度GaInN/AlGaN异质结蓝光LED，使用掺Zn的GaInN作为有源层，外量子效率达到2.7%,峰值波长450nm,并实现产品的商品化。1995年，该公司又推出了光输出功率为2.0mW，亮度为6cd商品化GaN绿光 LED产品，其峰值波长为525nm，半峰宽为40nm。最近，该公司利用其蓝光LED和磷光技术，又推出了白光固体发光器件产品，其色温为6500K，效率达7.5流明/W。除Nichia公司以外，HP、Cree等公司相继推出了各自的高亮度蓝光LED产品。高亮度LED的市场预计将从1998年的 3.86亿美元跃升为2003年的10亿美元。高亮度LED的应用主要包括汽车照明，交通信号和室外路标，平板金色显示，高密度DVD存储，蓝绿光对潜通信等。在成功开发Ⅲ族氮化物蓝光LED之后，研究的重点开始转向Ⅲ族氮化物蓝光LED器件的开发。蓝光LED在光控测和信息的高密度光存储等领域具有广阔的应用前景。目前Nichia公司在GaN蓝光LED领域居世界领先地位，其GaN蓝光LED室温下2mW连续工作的寿命突破10000小时。HP公司以蓝宝石为衬底，研制成功光脊波导折射率导引GaInN/AlGaN多量子阱蓝光LED。Cree公司和Fujitsu公司采用SiC作为衬底材料，开发Ⅲ 族氮化物蓝光LED，CreeResearch公司首家报道了SiC上制作的CWRT蓝光激光器，该激光器彩霞的是横向器件结构。富士通继Nichia，CreeResearch和索尼等公司之后，宣布研制成了InGaN蓝光激光器，该激光器可在室温下CW应用，其结构是在SiC衬底上生长的，并且采用了垂直传导结构（P型和n型接触分别制作在晶片的顶面和背面），这是首次报道的垂直器件结构的CW蓝光激光器。在探测器方面，已研制出GaN紫外探测器，波长为369nm，其响应速度与Si探测器不相上下。但这方面的研究还处于起步阶段。GaN探测器将在火焰探测、导弹预警等方面有重要应用。 对于GaN材料，长期以来由于衬底单晶没有解决，异质外延缺陷密度相当高，但是器件水平已可实用化。1994年日亚化学所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd蓝光（450nmLED），绿光12cd(520nmLED);日本1998年制定一个采用宽禁带氮化物材料开发LED的 7年规划，其目标是到2005年研制密封在荧光管内、并能发出白色光的高能量紫外光LED，这种白色LED的功耗仅为白炽灯的1/8，是荧光灯的1/2, 其寿命是传统荧光灯的50倍～100倍。这证明GaN材料的研制工作已取相当成功，并进入了实用化阶段。InGaN系合金的生成，InGaN/AlGaN 双质结LED，InGaN单量子阱LED，InGaN多量子阱LED等相继开发成功。InGaNSQWLED6cd高亮度纯绿茶色、2cd高亮度蓝色 LED已制作出来，今后，与AlGaP、AlGaAs系红色LED组合形成亮亮度全色显示就可实现。这样三原色混成的白色光光源也打开新的应用领域,以高可靠、长寿命LED为特征的时代就会到来。日光灯和电灯泡都将会被LED所替代。LED将成为主导产品，GaN晶体管也将随材料生长和器件工艺的发展而迅猛发展，成为新一代高温度频大功率器件。gan材料的生长是在高温下，通过tmga分解出的ga与nh3的化学反应实现的，其可逆的反应方程式为：ga+nh3=gan+3/2h2生长gan需要一定的生长温度，且需要一定的nh3分压。人们通常采用的方法有常规mocvd(包括apmocvd、lpmocvd)、等离子体增强mocvd（pe—mocvd）和电子回旋共振辅助mbe等。所需的温度和nh3分压依次减少。本工作采用的设备是ap—mocvd，反应器为卧式，并经过特殊设计改装。用国产的高纯tmga及nh3作为源程序材料，用dezn作为p型掺杂源，用（0001）蓝宝石与（111）硅作为衬底采用高频感应加热，以低阻硅作为发热体，用高纯h2作为mo源的携带气体。用高纯n2作为生长区的调节。用hall测量、双晶衍射以及室温pl光谱作为gan的质量表征。要想生长出完美的gan，存在两个关键性问题，一是如何能避免nh3和tmga的强烈寄生反应，使两反应物比较完全地沉积于蓝宝石和si衬底上，二是怎样生长完美的单晶。为了实现第一个目的，设计了多种气流模型和多种形式的反应器，最后终于摸索出独特的反应器结构，通过调节器tmga管道与衬底的距离，在衬底上生长出了gan。同时为了确保gan的质量及重复性，采用硅基座作为加热体，防止了高温下nh3和石墨在高温下的剧烈反应。对于第二个问题，采用常规两步生长法，经过高温处理的蓝宝石材料，在550℃，首先生长250a0左右的gan缓冲层，而后在1050℃生长完美的gan单晶材料。对于 si衬底上生长gan单晶，首先在1150℃生长aln缓冲层，而后生长gan结晶。生长该材料的典型条件如下：nh3：3l/mintmga：20μmol/minv/ⅲ=6500n2：3～4l/minh2：2<1l/min人们普遍采用mg作为掺杂剂生长p型gan，然而将材料生长完毕后要在800℃左右和在n2的气氛下进行高温退火，才能实现p型掺杂。本实验采用 zn作掺杂剂，dez2n/tmga=0.15，生长温度为950℃，将高温生长的gan单晶随炉降温，zn具有p型掺杂的能力，因此在本征浓度较低时，可望实现p型掺杂。但是，mocvd使用的ga源是tmga，也有副反应物产生，对gan膜生长有害，而且，高温下生长，虽然对膜生长有好处，但也容易造成扩散和多相膜的相分离。中村等人改进了mocvd装置，他们首先使用了two—flowmocvd（双束流mocvd）技术，并应用此法作了大量的研究工作，取得成功。双束流mocvd生长示意图如图1所示。反应器中由一个h2+nh3+tmga组成的主气流，它以高速通过石英喷平行于衬底通入，另一路由h2+n2 形成辅气流垂直喷向衬底表面，目的是改变主气流的方向，使反应剂与衬底表面很好接触。用这种方法直接在α—al2o3基板（c面）生长的gan膜，电子载流子浓度为1×1018/cm3，迁移率为200cm2/v·s，这是直接生长gan膜的最好值。
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